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三星量产世界最快显存 可大幅提升显卡性能

逍遥摘要:三星新显存的带宽高达256GB/s,比一代HBM DRAM显存芯片快了一倍。

三星量产世界最快显存 可大幅提升显卡性能

Engadget中文站1月20日报道

三星宣布开始大规模生产基于第二代HBM技术的显存芯片,它的数据传输速度可以达到256GBps,比现在市场上最好的DDR5内存芯片还要快7倍。

新生产的20纳米显存芯片主要提供给服务器制造商,因为它们愿意采用最新的产品。新的显存芯片还可以大幅提升Nvidia、AMD显卡的性能并降低能耗。

目前三星开始量产的4GB显存模组以4x8Gb规格封装,年底时三星还会开始生产8GB产品。它采用了20纳米制程和先进的HBM(高带宽内存)芯片设计,不只性能好,而且节能、稳定、尺寸小,非常适合用在下一代HPC(超级计算机高效能运算)系统和显卡中。

去年10月时,三星曾推出128GB 3D TSV DDR RDIMM芯片,量产HBM2 DRAM标志着TSV(硅通孔)DRAM技术取得了里程碑式的突破。

4GB HBM2封装下面是缓冲芯片,上面是4个8GB(1GB)容量的HBM2 DRAM芯片,它们通过TSV孔洞和微凸块焊接垂直连接在一起。每一块8GB HBM2芯片上有5000个TSV孔洞,比8GB TSV DDR芯片多了36倍,从而大大提升了数据传输速度。

三星新显存的带宽高达256GB/s,比一代HBM DRAM显存芯片快了一倍。4GB GDDR5 DRAM芯片的带宽为36GBps,新芯片比它快了7倍。与此同时,新显存的能耗效率更高,它的每瓦特带宽比4GB GDDR5要高一倍,它还嵌入了ECC(错误检查与纠错)功能提高了芯片的稳定性。

今年晚些时候,三星会推出8GB封装二代HBM显存。如果显卡采用8GB封装二代HBM显存,与GDDR5 DARM相比设计者可以节省95%的空间,从而为紧凑型、对显示计算性能要求高的设备提供更优的解决方案。

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